Cases
【水氧腐蝕】Si3N4?陶瓷在高溫熔鹽-水氧環(huán)境下的腐蝕行為

DOI:10.15541/jim20230391
中山大學(xué)材料學(xué)院田志林、李斌教授團(tuán)隊(duì)在期刊《無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào)》上發(fā)表了題為“Si3N4 陶瓷在高溫熔鹽-水氧環(huán)境下的腐蝕行為”的論文。研究分析了在氬氣和水氧(5%H?O-10%O?-85%Ar)環(huán)境中, LiCl-KCl和NaCl-2CsCl熔鹽對(duì)
Si3N4的腐蝕行為。研究背景
核能領(lǐng)域中的熔鹽電解技術(shù)需要耐高溫、抗腐蝕的坩堝材料。Si3N4陶瓷因其優(yōu)異的高溫性能成為候選材料,但其在高溫熔鹽-水氧耦合環(huán)境下的腐蝕行為尚不明確。本研究旨在揭示Si3N4陶瓷在此復(fù)雜環(huán)境中的腐蝕機(jī)制,為核燃料干法后處理工藝提供材料選擇依據(jù)。
實(shí)驗(yàn)方法
1.水氧腐蝕實(shí)驗(yàn)
◆ 氣氛環(huán)境:5%H?O-10%O?-85%Ar的惰性+水氧環(huán)境 ?
◆ 腐蝕時(shí)間:100小時(shí)
2.表征實(shí)驗(yàn)
◆ 潤(rùn)濕性分析:NaCl-2CsCl熔鹽的接觸角更小(潤(rùn)濕性更好),但其腐蝕性在氬氣環(huán)境中較弱。LiCl-KCl熔鹽黏度在500℃出現(xiàn)轉(zhuǎn)折點(diǎn),流動(dòng)性增強(qiáng),可能加速腐蝕。
◆ 氬氣環(huán)境下:LiCl-KCl熔鹽引發(fā)晶界相輕微腐蝕,生成KAlSi?O?硅酸鹽。NaCl-2CsCl熔鹽:腐蝕性較弱,晶界相基本未受影響。
◆水氧環(huán)境下:熔鹽與水氧協(xié)同作用是腐蝕主因。

研究結(jié)果
1、LiCl-KCl和NaCl-2CsCl熔鹽在Si3N4表面的潤(rùn)濕性與抗腐蝕性之間并沒(méi)有直接的相關(guān)性。
2、高溫水氧環(huán)境顯著加劇熔鹽腐蝕。
中環(huán)產(chǎn)品
天津中環(huán)推出高溫靜態(tài)/高速水氧腐蝕測(cè)試系列設(shè)備,利用實(shí)驗(yàn)室測(cè)試方法,準(zhǔn)確模擬渦輪發(fā)動(dòng)機(jī)工作環(huán)境的高溫、高水蒸氣分壓和水蒸氣速度,針對(duì)材料的熱腐蝕、水蒸氣氧化腐蝕進(jìn)行循環(huán)測(cè)試,以正確評(píng)估材料的熱化學(xué)穩(wěn)定性。該設(shè)備由進(jìn)氣控制單元、液體精確控制進(jìn)液量單元、加熱蒸發(fā)器控制水的均勻汽化和氣體混合、伴熱管路、加熱反應(yīng)器等組件構(gòu)成。主要用于:各種功能陶瓷,結(jié)構(gòu)陶瓷和陶瓷基復(fù)合材料,超高溫合金材料,高溫?zé)嵴贤繉拥阮I(lǐng)域。
靜態(tài)水氧:
★液態(tài)水汽化精準(zhǔn)可控
★載氣多量程可選:300ml/1000ml/3000ml
★最高溫度可選:1200℃/1600℃/1800℃
★可預(yù)設(shè)多組工藝,每組50段程序控制
高速水氧:
★實(shí)現(xiàn)水蒸氣沖擊:160m/s(計(jì)算值)
★精準(zhǔn)控制進(jìn)液量
★液態(tài)水的均勻汽化和氣體混合





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